為了尋求更細膩的高分辨率，就需求更小尺度的LED燈珠
來源：重慶LED顯示屏 發(fā)布時間：2021年08月21日
隨著智力城市建設的推進，全國許多城市的智力路燈改造也提高了日程，LED燈屏也越來越廣泛應用。
假如選用傳統(tǒng)的LED顯現(xiàn)屏，粗笨的大箱體結(jié)構(gòu)就像一堵黑色的墻，會嚴重影響修建立面的觀感作用，底子不能滿意這些地 標修建，各種極具構(gòu)思的外觀展現(xiàn)需求。而LED燈條屏微型化、模塊化、裝置靈敏的特色，就像一塊薄薄的通明絲織物懸掛在修建外表上，使得LED屏能與地 標修建完 美的合二為一。
為了尋求更細膩的高分辨率，就需求更小尺度的LED燈珠。要出產(chǎn)更小尺度的 LED燈珠，就必須縮小LED 芯片的表面積?，F(xiàn)在小距離芯片常見的表面積有30 m il2 、25 m il 2和 20 m il2 這三個標準。
怎么科學地反響 LED顯現(xiàn)屏的壽數(shù)，LED芯片的可靠性影響要素，依照現(xiàn)在LED燈珠的工藝流程，選用相同的外延片、選用相同的芯片結(jié)構(gòu)，LED芯片的抗靜電才能（ESD）和反向漏電（IR）是影響 LED 顯現(xiàn)屏壽數(shù)的重要要素。
高清 LED顯現(xiàn)屏運用的燈珠越來越小，跟著芯片尺度的不斷變小，芯片內(nèi)部的缺點數(shù)呈幾何倍數(shù)增加，LED芯片抗靜電才能（ESD）快速下降。反向漏電（IR）跟芯片內(nèi)部的缺點數(shù)成正相關，IR 值越大意味著 LED 片內(nèi)部的缺點越多。
因而在高清 LED 顯現(xiàn)屏工程驗收目標中應該參加抗靜電才能（ESD）和反向漏電（IR）兩項目標作為屏體壽數(shù)的支撐參數(shù)。
為了操控首要發(fā)熱的燈珠的溫度，必需要運用大芯片，把LED燈條屏的亮度規(guī)劃到7000cd，運用時再調(diào)到4500cd左右，讓電源，驅(qū)動芯片，發(fā)光芯片都處于輕負荷狀況，節(jié)能的一起還能削減各單元本身發(fā)熱量。
除此之外，箱體內(nèi)部布局也十分重要，特別是發(fā)送卡，接納卡，電源等高發(fā)熱元器件要放在箱體的下半部，電扇則要放在箱體頂部，以滿意熱對流的原理。
假如選用傳統(tǒng)的LED顯現(xiàn)屏，粗笨的大箱體結(jié)構(gòu)就像一堵黑色的墻，會嚴重影響修建立面的觀感作用，底子不能滿意這些地 標修建，各種極具構(gòu)思的外觀展現(xiàn)需求。而LED燈條屏微型化、模塊化、裝置靈敏的特色，就像一塊薄薄的通明絲織物懸掛在修建外表上，使得LED屏能與地 標修建完 美的合二為一。
為了尋求更細膩的高分辨率，就需求更小尺度的LED燈珠。要出產(chǎn)更小尺度的 LED燈珠，就必須縮小LED 芯片的表面積?，F(xiàn)在小距離芯片常見的表面積有30 m il2 、25 m il 2和 20 m il2 這三個標準。
怎么科學地反響 LED顯現(xiàn)屏的壽數(shù)，LED芯片的可靠性影響要素，依照現(xiàn)在LED燈珠的工藝流程，選用相同的外延片、選用相同的芯片結(jié)構(gòu)，LED芯片的抗靜電才能（ESD）和反向漏電（IR）是影響 LED 顯現(xiàn)屏壽數(shù)的重要要素。
高清 LED顯現(xiàn)屏運用的燈珠越來越小，跟著芯片尺度的不斷變小，芯片內(nèi)部的缺點數(shù)呈幾何倍數(shù)增加，LED芯片抗靜電才能（ESD）快速下降。反向漏電（IR）跟芯片內(nèi)部的缺點數(shù)成正相關，IR 值越大意味著 LED 片內(nèi)部的缺點越多。
因而在高清 LED 顯現(xiàn)屏工程驗收目標中應該參加抗靜電才能（ESD）和反向漏電（IR）兩項目標作為屏體壽數(shù)的支撐參數(shù)。
為了操控首要發(fā)熱的燈珠的溫度，必需要運用大芯片，把LED燈條屏的亮度規(guī)劃到7000cd，運用時再調(diào)到4500cd左右，讓電源，驅(qū)動芯片，發(fā)光芯片都處于輕負荷狀況，節(jié)能的一起還能削減各單元本身發(fā)熱量。
除此之外，箱體內(nèi)部布局也十分重要，特別是發(fā)送卡，接納卡，電源等高發(fā)熱元器件要放在箱體的下半部，電扇則要放在箱體頂部，以滿意熱對流的原理。
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